FDPF10N60ZUT
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDPF10N60ZUT |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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246+ | $1.22 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
Serie | UniFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 42W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1980 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
FDPF10N60ZUT Einzelheiten PDF [English] | FDPF10N60ZUT PDF - EN.pdf |
ON TO220F
VBSEMI TO-220F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 350V 12A TO220F
FAIRCHILD TO-220F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FAIRCHILD TO-220F
FAIRCHILD TO-220F
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
MOSFET N-CH 350V 12A TO220F
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
FDPF12N50F FAIRCHILD
FDPF10N60N FAIRCHILD
FAIRCHILD TO-220F
FDPF12N50 FSC
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
FAIRCHILD TO-220
2023/12/20
2024/08/25
2024/09/19
2024/07/10
FDPF10N60ZUTFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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